[发明专利]一种倒装结构的发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610044333.3 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105609609B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;李彤;王世俊;董耀尽 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装结构的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括基板、以及依次层叠在基板上的P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、P型欧姆接触层和透明导电层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层为GaAs层，透明导电层为ITO层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层内设有若干延伸到N型电流扩展层的通孔。本发明利用ITO透明导电层实现电流扩展并将扩展后的电流通过欧姆接触层注入N型电流扩展层，使电流得以较好的扩展，电流密度分布均匀，发光效率和发光强度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装结构的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括基板、以及依次层叠在基板上的P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括层叠在所述N型电流扩展层上的N型欧姆接触层、P型欧姆接触层和透明导电层，所述P型欧姆接触层和所述N型欧姆接触层为GaAs层，所述透明导电层为氧化铟锡ITO层，所述P型欧姆接触层和所述N型欧姆接触层内设有若干延伸到所述N型电流扩展层的通孔。
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