[发明专利]一种压式发电薄膜器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610032279.0 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105529395B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 于健;宋吉鑫;高凯征;张东;林树全;王存旭;杜世鹏;刘春忠;李娜;何毅 | 申请（专利权）人： | 辽宁广告职业学院;沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/29;C23C14/14;C23C14/35;C23C16/26 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)21241 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110148 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明发电薄膜的制造技术领域，具体地来讲为一种压式发电薄膜器件及其制备方法。该方法包括在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属铝电极、第一石墨烯导电薄膜、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二石墨烯导电薄膜以及金属铝电极。本发明把压电材料发电技术与超级导体石墨烯相结合实现发电，由于石墨烯超导体的特征，极大程度的导出了所有的电荷，解决了压电材料发电率低，不易导出等难题。为压电材料发电，为节能减排作出重大的贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发电 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压式发电薄膜器件的制备方法，其特征在于，该方法包括在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属铝电极、第一石墨烯导电薄膜、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二石墨烯导电薄膜以及金属铝电极；所述的采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，甲烷和氢气体积比为： 4:1~5:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为10~20sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃~100℃，沉积时间为3~10分钟；采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，甲烷和氢气体积比为：1:1~3:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为10~20sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃~100℃，沉积时间为3~10分钟。
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