[发明专利]一种光刻检查图形结构有效
| 申请号： | 201610029111.4 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106981435B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 顾嘉威;杨顺舟;兰云;马如军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形包括：第一层次对位图形，作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；第二层次对位图形，作为形成于第二层的图案的对位标记，用于与第一层次对位图形进行对位，其中，第二层的图案位于所述第一层的图案的上方；所述第二层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；其中，所述第二层次对位图形位于所述第一层次对位图形延伸方向的一侧或者两侧，并且相互隔离设置。本发明在不改变原有光刻检查方式的基础上，调整了光刻检查的图形，降低了旋涂工艺异常率，同时也便于检查人员进行工艺检查。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 检查 图形 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形包括：/n第一层次对位图形，作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；/n第二层次对位图形，作为形成于第二层的图案的对位标记，用于与所述第一层次对位图形进行对位，其中，所述第二层的图案位于所述第一层的图案的上方；所述第二层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；/n其中，所述第二层次对位图形位于所述第一层次对位图形延伸方向的一侧或者两侧，并且与所述第一层次对位图形之间相互隔离设置，所述第一层次对位图形与所述第二层次对位图形对齐设置，所述第一层次对位图形中的所述条形图案的中心线位于所述第二层次对位图形的条形图案的中心线上；/n所述光刻检查图形结构还进一步包括套刻测量图形和若干层次标识图形，其中，所述对位游标图形、所述套刻测量图形和所述若干层次标识图形在所述对位游标图形的延伸方向上依次排列。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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