[发明专利]等离子体增强原子层蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201610028064.1 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105810580B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | A·深泽 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种等离子体增强原子层蚀刻的方法。一种用于在衬底上蚀刻层的方法包括至少一个蚀刻周期，其中蚀刻周期包括：将惰性气体连续地提供到反应空间中；将蚀刻气体的脉冲提供到该反应空间上游的连续惰性气体流中以使未激发状态中的该蚀刻气体化学吸附在该衬底的表面上；以及在电极之间提供RF功率放电的脉冲以在该反应空间中产生该惰性气体的反应物质，从而在该衬底上蚀刻该层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 原子 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
