[发明专利]GAN-类LED用反射接触有效
| 申请号： | 201610018396.1 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105990484B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 佐藤泰介 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及GAN‑类LED用反射接触。公开具有反射接触的发光二极管(LED)组件的形成方法，和提供该方法形成的LED组件。在一个实施方案中，该方法包括形成在基板表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括化合物半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括化合物半导体材料的第二层之间设置的发光层，所述化合物半导体材料包括III族元素和V族元素。该方法进一步包括形成从第一层的与第二层相反的表面向内延伸的氧化区域。在一个实施方案中，氧化区域通过将第一层的表面进行氧(O2)等离子体灰化来形成。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 反射 接触 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管LED组件，其包括：包括在具有第一导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括III‑V族半导体材料的第二层之间设置的发光层的LED，所述第一层具有从所述第一层的与所述第二层相反的整个表面向内延伸的氧化区域；和直接设置于所述第一层的与所述第二层相反的氧化区域上的反射性材料第一接触，所述第一接触位于所述氧化区域的周边之内且电连接至所述第一层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔发得株式会社，未经阿尔发得株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610018396.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：OLED显示面板及OLED显示面板制备方法
- 下一篇：半导体发光元件
