[发明专利]化合物半导体装置结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201580068731.2 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107347256B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 菲洛兹·纳瑟-菲利;丹尼尔·法兰西斯;法兰克扬蒂斯·劳;丹尼尔詹姆斯·推辰 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/267;H01L29/16;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明揭露了一种半导体装置结构，其包含：化合物半导体材料层；以及多晶化学气相沉积钻石材料层，其中多晶化学气相沉积钻石材料层是通过直接接合到化合物半导体材料层的纳米结晶钻石层来接合到化合物半导体材料层，纳米结晶钻石具有5至50纳米的范围的厚度，并且配置为使通过化合物半导体材料层与多晶化学气相沉积钻石材料层之间的接面处的瞬态热反射所测量的有效热边界电阻(TBR |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，其包含：化合物半导体材料层；以及多晶化学气相沉积钻石材料层，其中所述多晶化学气相沉积钻石材料层是通过直接接合到所述化合物半导体材料层的纳米结晶钻石层与所述化合物半导体材料层接合，所述纳米结晶钻石层的厚度在5至50纳米的范围内，并且配置为使通过化合物半导体材料层与多晶化学气相沉积钻石材料层之间的接口处的瞬态热反射所测量的有效热边界电阻(TBReff)不超过50m2K/GW。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
