[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，其支撑于所述基板，且具有栅极、氧化物半导体层、形成于所述栅极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及与所述氧化物半导体层电性连接的源极及漏极；所述栅极绝缘层包含由所述氧化物半导体层覆盖的第一部分以及与所述第一部分邻接且未由所述氧化物半导体层、所述源极以及所述漏极的任一者覆盖的第二部分；所述第二部分较所述第一部分薄，且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。