[发明专利]光吸收设备有效
申请号: | 201580060584.4 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN107210308B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 郑斯璘;刘汉鼎;陈书履 | 申请(专利权)人: | 光澄科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/18 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 邬玥;葛强 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光吸收设备包括衬底、在所述衬底上方在第一所选区域上的光吸收层、在所述光吸收层上方的硅层、围绕所述光吸收层的侧壁的至少部分的间隔物、围绕所述间隔物的至少部分的隔离层,其中所述光吸收设备能实现高带宽和低暗电流。 | ||
搜索关键词: | 光吸收设备 光吸收层 间隔物 衬底 所选区域 暗电流 高带宽 隔离层 侧壁 硅层 | ||
【主权项】:
1.一种形成光吸收设备的方法,所述方法包括:掺杂衬底的表面以在所述衬底中形成掺杂层;以及在所述掺杂层的顶部形成光敏结构,所述光敏结构包括(1)在所述光敏结构的底部处或附近的反向掺杂层;和(2)在所述反向掺杂层的顶部的掺杂剂控制层,其中所述掺杂剂控制层具有阻止掺杂剂从所述反向掺杂层扩散到所述光敏结构中的本征层的材料,并且其中所述衬底是基于硅的,并且其中所述反向掺杂层和所述本征层都是基于锗的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的