[发明专利]用于等离子体切割的接近接触盖环有效
| 申请号： | 201580056404.5 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107078015B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·M·霍顿;亚历山大·N·勒纳;阿杰伊·库马尔;阿帕娜·伊耶;艾伦·希罗什·奥叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于切割半导体晶片的方法与载体，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件的一种盖环包括内部开孔，内部开孔具有直径，所述内部开孔的直径小于载体与基板组件的基板的直径。外部框体围绕内部开孔。外部框体具有用于容纳载体与基板组件的基板的最外部分的斜面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 切割 接近 接触 | ||
【主权项】：
1.一种盖环，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件，所述盖环包括：内部开孔，具有直径，所述直径小于所述载体与基板组件的基板的直径；及外部框体，围绕所述内部开孔，所述外部框体具有斜面，用于容纳所述载体与基板组件的所述基板的最外部分，其中所述斜面包括悬垂表面、周边表面和凹陷倾斜表面，所述凹陷倾斜表面接合所述斜面的所述悬垂表面与所述周边表面。
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