[发明专利]单晶的制造方法及硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201580053049.6 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106715765B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 鸣岛康人;宇都雅之;久保田利通 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梅黎;卢曼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的单晶的制造方法，该方法进行：直体部形成工序，其通过使籽晶与以单晶的电阻率达到0.9mΩ·cm以下的方式向硅熔体中添加红磷的掺杂剂添加熔体接触后提拉所述籽晶，从而形成单晶的直体部；及切割分离工序，在所述直体部的上端的温度为590℃以上的状态下，将单晶从掺杂剂添加熔体切割分离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
一种单晶的制造方法，其利用了单晶提拉装置，所述单晶提拉装置具备：腔室；坩埚，配置在该腔室内且能够容纳硅熔体中添加有红磷的掺杂剂添加熔体；及提拉部，使籽晶与所述掺杂剂添加熔体接触后进行提拉，所述单晶的制造方法的特征在于，进行如下工序：直体部形成工序，通过使所述籽晶与以所述单晶的电阻率达到0.9mΩ·cm以下的方式向所述硅熔体中添加所述红磷的所述掺杂剂添加熔体接触后提拉所述籽晶，从而形成所述单晶的直体部；及切割分离工序，在所述直体部的上端的温度为590℃以上的状态下，将所述单晶从所述掺杂剂添加熔体切割分离。
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