[发明专利]半桥式功率半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 201580035522.8 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106489203B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 谷本智 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 模块(1)具备：绝缘基板(15)、功率半导体装置(13HT)、功率半导体装置(13LT)、桥式端子(14B)、高侧端子(14H)、低侧端子(14L)。桥式端子在功率半导体装置(13HT)、(13LT)之间从表面配线导体(12B)延伸。高侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从高侧背面配线导体(17H)延伸。低侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从低侧背面配线导体(17L)延伸。功率半导体装置(13HT)的表面电极及功率半导体装置(13LT)的背面电极与表面配线导体(12B)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半桥式 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半桥式功率半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具备绝缘板、配置于所述绝缘板表面的多个表面配线导体、配置于所述绝缘板的背面的高侧背面配线导体及低侧背面配线导体；低侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第二表面配线导体上；高侧功率半导体装置，其背面电极欧姆连接在从所述多个表面配线导体中选择的第一表面配线导体上，且其表面电极与所述第二表面配线导体欧姆连接；桥式端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述第一表面配线导体延伸；第一连接部，其从所述高侧功率半导体装置观察，设置在朝向与向所述低侧功率半导体装置的方位相反的方位，并将所述第一表面配线导体和所述高侧背面配线导体之间欧姆连接；第二连接部，其从所述低侧功率半导体装置观察，设置在与向所述高侧功率半导体装置的方位相反的方位，并将所述低侧功率半导体装置的表面电极和所述低侧背面配线导体欧姆连接；高侧端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述高侧背面配线导体延伸；低侧端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间的位置，从所述低侧背面配线导体延伸，经由所述高侧功率半导体装置流过所述高侧端子与所述桥式端子之间的主电流的方向、及经由所述低侧功率半导体装置流过所述低侧端子与所述桥式端子之间的主电流的方向是隔着所述绝缘板的相反方向。
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