[发明专利]氧化物半导体薄膜层叠体的品质评价方法及品质管理方法有效
| 申请号： | 201580031246.8 | 申请日： | 2015-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106463433B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林和志;三木绫;川上信之 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压Vth；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 表面 具有 保护膜 层叠 品质 评价 方法 管理 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管评价用的层叠体的品质评价方法，其特征在于，是在氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量所述氧化物半导体薄膜的片电阻或比电阻，从而对作为因所述氧化物半导体薄膜和所述保护膜的界面态引起的缺陷的对薄膜晶体管外加正偏压的应力时的抗应力性进行评价，其中，起因于所述界面态的缺陷为下述(1)～(3)中的任意，(1)薄膜晶体管的阈值电压Vth；(2)向薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量薄膜晶体管的阈值电压时，第一次测量时的阈值电压与多次测量后的阈值电压的差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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