[发明专利]掺杂的稀土氮化物材料和包含其的器件有效
| 申请号： | 201580024829.8 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106460229B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩 | 申请（专利权）人： | F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/02;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 新西兰*** | 国省代码： | 新西兰;NZ |
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| 摘要： | 本发明公开了镁掺杂的稀土氮化物材料，其中的一些为半绝缘的或绝缘的。本发明还公开了制备所述材料的方法。所述镁掺杂的稀土氮化物材料可以用于例如电子自旋器件、电子器件和光电器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 稀土 氮化物 材料 包含 器件 | ||
【主权项】：
1.镁掺杂的稀土氮化物材料，其中所述稀土氮化物选自由以下组成的组：氮化镧(LaN)、氮化镨(PrN)、氮化钕(NdN)、氮化钐(SmN)、氮化铕(EuN)、氮化钆(GdN)、氮化铽(TbN)、氮化镝(DyN)、氮化钬(HoN)、氮化铒(ErN)、氮化铥(TmN)、氮化镱(YbN)、和氮化镥(LuN)，及其任意两种或多种的合金，其中所述镁掺杂的稀土氮化物材料为薄膜。/n
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