[发明专利]半导体发光装置及光半导体安装用基板有效
申请号: | 201580017903.3 | 申请日: | 2015-03-27 |
公开(公告)号: | CN106133929B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 木村安希;坂寄胜哉;天下井惠维;管家了;坂井俊之;财部俊正;沟尻诚 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种至少具备基板、具有呈凹部形状的空腔的反射器及光半导体元件的半导体发光装置,其中,该反射器由含有无机物质的树脂组合物形成,在通过使用了CuKα射线(波长1.5418A)的X射线衍射法测定该反射器而得到的光谱中,在衍射角2θ为0度至24度范围中强度最大的衍射峰的峰值强度P1与衍射角2θ为大于24度至70度范围中强度最大的衍射峰的峰值强度P2的强度比(P1/P2)为0.01以上1.0以下,且该反射器的灰分为60质量%以上。可以提供具有极高的反射性和尺寸稳定性优异的反射器的半导体发光装置及光半导体安装用基板。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 安装 用基板 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,其至少具备:基板、具有呈凹部形状的空腔的反射器及光半导体元件,其中,该反射器由含有无机物质的烃系树脂组合物形成,在通过使用了CuKα射线(波长1.5418Å )的X射线衍射法测定该反射器而得到的光谱中,在衍射角2θ为0度至24度范围中强度最大的衍射峰的峰值强度P1与衍射角2θ为大于24度至70度范围中强度最大的衍射峰的峰值强度P2的强度比(P1/P2)为0.01以上且1.0以下,且该反射器的灰分为60质量%以上。
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