[发明专利]硅串接太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201180053120.2 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103262263A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | H.戈德巴赫;T.罗舍克;R.克拉维茨 | 申请（专利权）人： | 东电电子太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/076 | 分类号： | H01L31/076;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/0236;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非微晶叠层串接太阳能电池以及用于制造所述太阳能电池的方法。本发明特别地解决了通过高级陷光来显著减少有源层厚度的课题。本发明提出了一种广度>1.4m2的串接配置的硅基太阳能电池，其包括a-Si电池（4）和μc-Si电池（10），a-Si电池（4）的吸收体层具有210nm±20nm的厚度，μc-Si电池（10）的吸收体层具有900nm±200nm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅串接 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种广度>1.4 m2的串接配置的太阳能电池装置，其包括a‑Si电池（4）和μc‑Si电池（10），所述a‑Si电池（4）的吸收体层具有210nm±20nm的厚度，所述μc‑Si电池（10）的吸收体层具有900nm±200nm的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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