[实用新型]一种具有高的抗浪涌电流能力的二极管有效

专利信息
申请号: 201520551816.3 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN204946908U 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 李泽宏 申请(专利权)人: 李泽宏
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 商小川
地址: 550025 贵州省贵阳市国家*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 实用新型公开了一种具有高的抗浪涌电流能力的二极管,它包括N+衬底,N+衬底背面为金属化阴极,N+衬底正面为N外延层,N外延层上表面有氧化层,氧化层上方为多晶硅,N外延层顶部具有两个P型掺杂区,两个P型掺杂区侧边分别具有N型掺杂区,金属化阳极位于器件顶层,两个P型掺杂区下方还分别具有一个P体区,两个P体区通过P型掺杂区与金属化阳极相连接,金属化阳极覆盖在多晶硅、P型掺杂区、N型掺杂区以及N外延层的上表面,两个P型掺杂区之间为P型掺杂的浪涌电流泄放通道,也叫plug区,解决了现有技术的汽车发电机整流桥中的二极管抗浪涌电流能力差等技术问题。
搜索关键词: 一种 具有 浪涌 电流 能力 二极管
【主权项】:
一种具有高的抗浪涌电流能力的二极管,它包括N+衬底(2),其特征在于:N+衬底(2)背面为金属化阴极(1),N+衬底(2)正面为N外延层(3),N外延层(3)上表面有氧化层(9),氧化层(9)上方为多晶硅(10),N外延层(3)顶部具有两个P型掺杂区(5),两个P型掺杂区(5)侧边分别具有N型掺杂区(4),金属化阳极(6)位于器件顶层,两个P型掺杂区(5)下方还分别具有一个P体区(7),两个P体区(7)通过P型掺杂区(5)与金属化阳极(6)相连接,金属化阳极(6)覆盖在多晶硅(10)、P型掺杂区(5)、N型掺杂区(4)以及N外延层(3)的上表面,两个P体区(7)和它们之间的N外延层(3)构成一个结型场效应晶体管区(8),两个P型掺杂区(5)之间为P型掺杂的浪涌电流泄放通道(11)。
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