[实用新型]一种透光薄膜发电芯片有效
申请号: | 201520382466.2 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN204792825U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 王勇;金淋虎;沈相健 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/0468 | 分类号: | H01L31/0468 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种透光薄膜发电芯片,具有设置在底层的平面玻璃,所述平面玻璃上设有第一透明导电氧化物层,所述第一透明导电氧化物层通过光电转化层与第二透明导电氧化物层连接,本实用新型的透光薄膜发电芯片组件在不大规模改变现有薄膜发电芯片生产制造工艺和设备的前提下,改进现有技术并以之为基础生产一款透光的半透明薄膜光伏组件,其中,完成包括光电转化层制作工艺之前的工艺保持不变,在化学气相沉积制背电极工艺中,使用多段式工艺制备法,先在光电转化膜层上制备透明导电氧化膜层,然后再制备超薄金属层,最后再制备一层保护用的透明导电氧化物层;其结构简单、使用方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 透光 薄膜 发电 芯片 | ||
【主权项】:
一种透光薄膜发电芯片,其特征在于:具有设置在底层的平面玻璃(1),所述平面玻璃(1)上设有第一透明导电氧化物层(2),所述第一透明导电氧化物层(2)通过光电转化层(3)与第二透明导电氧化物层(4)连接。
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- 本实用新型涉及一种透光薄膜发电芯片,具有设置在底层的平面玻璃,所述平面玻璃上设有第一透明导电氧化物层,所述第一透明导电氧化物层通过光电转化层与第二透明导电氧化物层连接,本实用新型的透光薄膜发电芯片组件在不大规模改变现有薄膜发电芯片生产制造工艺和设备的前提下,改进现有技术并以之为基础生产一款透光的半透明薄膜光伏组件,其中,完成包括光电转化层制作工艺之前的工艺保持不变,在化学气相沉积制背电极工艺中,使用多段式工艺制备法,先在光电转化膜层上制备透明导电氧化膜层,然后再制备超薄金属层,最后再制备一层保护用的透明导电氧化物层;其结构简单、使用方便。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的