[实用新型]一种RRAM灵敏放大器有效
| 申请号： | 201520194168.0 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN204680377U | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 谢永宜 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型一种RRAM灵敏放大器，包括用于将存储单元中可变电阻的状态转化成相应电压信号Vmat的存储支路；用于将参考电流转换成相应参考电压Vref的参考支路；用于将电压信号Vmat和参考电压Vref进行比较，输出可变电阻低或高阻态对应的标准逻辑高或低电平的比较输出电路；以及用于在预充电阶段连通存储支路和参考支路的预充电增强电路。能够成功实现对RRAM存储单元中可变电阻状态读取功能；通过预充电增强功能，缩短预充电阶段的时间，从而缩短整个数据读取周期，加快数据读取速度，进而提高了存储器的数据吞吐量。从仿真验证的结果看，本实用新型方案数据读取周期比传统方案的数据读取周期缩短10nS～15nS。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 灵敏 放大器 | ||
【主权项】：
一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，包括，用于将存储单元中可变电阻的状态转化成相应电压信号Vmat的存储支路(11)；用于将参考电流转换成相应参考电压Vref的参考支路(12)；用于将电压信号Vmat和参考电压Vref进行比较，输出可变电阻低或高阻态对应的标准逻辑高或低电平的比较输出电路(13)；以及用于在预充电阶段连通存储支路(11)和参考支路(12)的预充电增强电路(14)。
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