[发明专利]感光单元、光感测装置及感光单元的制造方法在审
申请号: | 201510873363.0 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105390518A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 廖一寰;林志豪;游镇宇;卓祯福;章钧;卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种感光单元,包括第一电极、第一绝缘层、感光结构以及第二电极。第一绝缘层覆盖第一电极且具有暴露出第一电极的开口。感光结构位于第一电极上且填入第一绝缘层的开口。感光结构包括相堆叠的第一感光层及第二感光层。第一感光层的材质为SixGeyOz。第二感光层的材质为SivOw。第二电极覆盖感光结构。此外,包括上述感光单元的光感测装置以及上述感光单元的制造方法也被提出。 | ||
搜索关键词: | 感光 单元 光感测 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种感光单元,包括:一第一电极;一第一绝缘层,覆盖该第一电极且具有暴露出该第一电极的一第一开口;一感光结构,位于该第一电极上且填入该第一绝缘层的该第一开口,其中该感光结构包括:一第一感光层,该第一感光层的材质为SixGeyOz,x、y、z均不为零;以及一第二感光层,与该第一感光层相堆叠,该第二感光层的材质为SivOw,v、w均不为零;以及一第二电极,覆盖该感光结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的