[发明专利]具射极与背面钝化之太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201510865970.2 | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN106816480A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 简荣吾;王嘉庆 | 申请(专利权)人: | 英稳达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种具射极与背面钝化之太阳能电池。所述太阳能电池包含硅基板、背面钝化层、背面保护层以及背面铝金属层。所述背面铝金属层设置于所述背面保护层相对于所述背面钝化层的另一侧,并包括复数个触点。所述背面钝化层及所述背面保护层具有复数个贯穿孔,所述些触点分别对应所述些贯穿孔而设置。通过对所述些贯穿孔以及所述些触点相对尺寸的限制,有效降低孔洞的产生,因而改善背面电场的质量,进一步提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 具射极 背面 钝化 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具射极与背面钝化之太阳能电池,包含:一硅基板,所述硅基板具有受光面与非受光面;一背面钝化层,设置于所述硅基板之所述非受光面的一侧;一背面保护层,设置于所述背面钝化层相对所述硅基板的另一侧;以及一背面铝金属层,设置于所述背面保护层相对于所述背面钝化层的另一侧,并包括复数个触点,其中所述背面钝化层及所述背面保护层具有复数个贯穿孔,所述些触点分别对应所述些贯穿孔而设置。
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- 本申请公开了一种太阳电池,包括p型基底,所述p型基底的正面依次设置有n型掺杂层及正面钝化减反射层,所述p型基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、p型掺杂膜层及背面介质膜层;所述正面钝化减反射层上形成有正面电极,所述正面电极贯穿所述正面钝化减反射层并与所述n型掺杂层接触;所述背面介质膜层上形成有背面铝电极,所述背面铝电极贯穿所述背面介质膜层并与所述p型掺杂膜层接触。随着对p型掺杂膜层掺杂溶度的降低,则不会影响p型基底的少数载流子寿命,因此,背面的横向传输电阻被大幅度降低,提升了电池的整体性能。
- 一种双面发电太阳能电池及其制备方法-201910353961.3
- 朱鹏;刘媛;吴广;郑金华 - 南通天盛新能源股份有限公司
- 2019-04-29 - 2019-10-18 - H01L31/0216
- 本发明公开了一种双面发电太阳能电池,包括硅基体,从下而上依次设于硅基体正面的N发射电极、正面减反射钝化膜和正面电极,以及从上而下设于硅基体背面的背面钝化膜、背电场和背电极,所述太阳能电池为双面太阳能电池,所述背电场为局部铝背电场,所述局部铝背电场通过在背面钝化膜上用无机刻蚀浆料刻蚀后呈线性开槽,然后在开槽处覆盖高导电铝浆,所述太阳能电池有2~5μm的BSF层。本发明的太阳能电池背电场结构,能够使得BSF层厚度增加,硅基体破坏减少,铝浆耗量减少,从而提高光电转化率。
- 吸收红外光的高导热涂层及其在提高太阳能电池发电效率中的应用-201910575846.0
- 云山;胡圆圆;郭探;洪坤;邵康;李玉宝;李彦兴 - 淮阴工学院
- 2019-06-28 - 2019-10-18 - H01L31/0216
- 本发明公开了一种吸收红外光的高导热涂层,所述涂层由以下重量百分比的原料混合制备而成:1%~10%铯掺杂氧化钨纳米粉体,50%~80%树脂浆料,10%~20%溶剂,0.5%~5%贵金属纳米线。将其涂敷于电池上表面时,能够吸收红外光并转化为热量,经由涂层内部将热量传导至器件的边缘,及时传导表面产生的热量,能够有效降低器件表面的温度,缓解因为温度上升导致太阳能电池光电转换效率降低的问题;同时,将热电器件热端贴合于电池四周外表面,光热转换产生的热量经分布在太阳能电池器件边缘的热电器件转化为电能,从而实现整体提高太阳能电池利用率的效果。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的