[发明专利]一种CdTe半导体纳米晶制备方法

摘要

一种CdTe半导体纳米晶制备方法，属于半导体材料制备领域，尤其涉及CdTe半导体纳米晶制备方法。目的在于提供一种成本低廉，且制备过程绿色的CdTe半导体纳米晶制备方法。该方法通过（1）Na₂Te前驱体的制备，（2）CdCl₂前驱体的制备，（3）CdTe纳米晶的合成三步骤得到CdTe纳米晶。该方法制得的CdTe半导体纳米晶具有颗粒分散均匀、较宽吸收波长，发光强度大，且相比较目前其他的合成方法，这种方法更加绿色和廉价。

主权项

一种CdTe半导体纳米晶制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）Na₂Te前驱体的制备向三口烧瓶中通氢气，称取硼氧化钠于三口烷瓶中，加入亚碲酸钠使加入的硼氢化钠与亚碲酸钠的摩尔比大于2：1，加入去离子水，磁力剧烈搅拌，控制反应温度50℃，50min后制得Na₂Te前驱体；（2） CdCl₂前驱体的制备向三口烧瓶中通氢气，加入去离子水，向三口烧瓶中加入CdCl₂并用微型注射器注射巯基乙酸于三口烧瓶中，CdCl₂与巯基乙酸的摩尔比大于10：1，磁力剧烈搅拌数分钟后，向溶液中滴加1mol／L的NaOH溶液调节pH=9．1；反应45min后得到CdCl₂前驱体；（3）CdTe纳米晶的合成向CdCl ₂的前驱体中，快速注入Na₂Te前驱体，继续通氢气，迅速调节温度到100℃回流4h，得到CdTe纳米晶。