[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510736185.7 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105679673B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郑在烨;姜熙秀;郑熙暾;朴世玩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；以及第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
