[发明专利]多晶硅电阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510367275.3 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105047533A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 袁苑;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅电阻的制造方法，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成多晶硅薄膜；步骤二、进行第一次P型离子注入；步骤三、进行第二次N型离子注入；由两次离子注入的浓度差确定多晶硅薄膜的电阻、浓度和降低电阻温度系数。本发明多晶硅电阻通过在多晶硅薄膜中进行两次杂质类型相反的离子注入实现，通过两次离子注入的杂质浓度差确定多晶硅电阻的电阻值，通过两次离子注入的杂质浓度和确定多晶硅电阻的电阻温度系数，这样使得电阻值和电阻温度系数能够分开调节，从而能同时实现高电阻和低温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成多晶硅薄膜；步骤二、进行第一次P型离子注入在所述多晶硅薄膜中掺入P型杂质；步骤三、进行第二次N型离子注入在所述多晶硅薄膜中掺入N型杂质；所述多晶硅薄膜中的P型杂质浓度大于N型杂质浓度，所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质进行反向掺杂并由二者的杂质浓度差确定所述多晶硅薄膜的电阻，通过降低所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质的浓度差提高所述多晶硅薄膜的电阻；同时所述多晶硅薄膜中的P型杂质的体浓度和N型杂质的体浓度的和大于1E19cm‑3，通过提高所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质的体浓度的和降低所述多晶硅薄膜的电阻温度系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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