[发明专利]多晶硅电阻的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底表面形成多晶硅薄膜；

步骤二、进行第一次P型离子注入在所述多晶硅薄膜中掺入P型杂质；

步骤三、进行第二次N型离子注入在所述多晶硅薄膜中掺入N型杂质；

所述多晶硅薄膜中的P型杂质浓度大于N型杂质浓度，所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质进行反向掺杂并由二者的杂质浓度差确定所述多晶硅薄膜的电阻，通过降低所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质的浓度差提高所述多晶硅薄膜的电阻；

同时所述多晶硅薄膜中的P型杂质的体浓度和N型杂质的体浓度的和大于1E19cm^-3，通过提高所述多晶硅薄膜中的P型杂质和N型杂质的体浓度的和降低所述多晶硅薄膜的电阻温度系数。

2.如权利要求1所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：在所述硅衬底中形成有P阱。

4.如权利要求1所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：步骤一中采用化学气相淀积工艺形成所述多晶硅薄膜。

5.如权利要求1所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述多晶硅薄膜的厚度为1000埃～2000埃。

6.如权利要求1或5所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述第一次P型离子注入的注入杂质为硼，注入剂量为5E15cm^-2～1E16cm^-2，注入能量为20Kev～50Kev。

7.如权利要求1或5所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述第二次N型离子注入的注入杂质为磷，注入剂量为1E14cm^-2～3E14cm^-2，注入能量为5Kev～50Kev。

8.如权利要求1或5所述的多晶硅电阻的制造方法，其特征在于：所述多晶硅薄膜中的P型杂质的体浓度和N型杂质的体浓度的和为5E19cm^-3～5E20cm^-3。