[发明专利]具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510315540.3 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105280569B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 金永培 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 残余 应力 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件，其中，下封装件包括：封装基底，具有上表面和下表面；半导体芯片，设置在封装基底的上表面上；模制层，包封半导体芯片；以及残余应力层，设置在半导体芯片上，其中，残余应力层包括塑性形变的表面，其中，残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。
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