[发明专利]一种高纯二水氯化铜的结晶制备方法有效

专利信息
申请号: 201510296754.0 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN104925847A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 关国强;江燕斌;谭泽;徐丽;赖少媚 申请(专利权)人: 华南理工大学;广东光华科技股份有限公司
主分类号: C01G3/05 分类号: C01G3/05
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗观祥
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了高纯二水氯化铜的结晶制备方法,该方法向原料加入盐酸调节溶液pH值为2.0~2.5后与活性炭混合,过滤;原料为电子线路板氯化铜废液;将所得溶液减压浓缩至过饱和,加入氯化铜晶种开始结晶;加入去离子水;使所得结晶溶液冷却结晶,形成含有大晶粒的液固悬浮液;控制氯化铜溶液温度随时间的3次方变化,T=90‐60×(t/300)3;离心过滤获得二水氯化铜固体;真空干燥,获得高纯二水氯化铜产品;以质量百分比计,本发明所得高纯二水氯化铜产品中二水氯化铜含量在98%以上;本发明方法能实现资源综合利用,有利于降低生产成本,同时获得高纯二水氯化铜产品晶粒分布均匀,满足电子生产二水氯化铜产品的要求。
搜索关键词: 一种 高纯 氯化铜 结晶 制备 方法
【主权项】:
一种高纯二水氯化铜的结晶制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)向原料加入盐酸调节溶液pH值为2.0~2.5后与活性炭混合,去除原料中的油份和杂质,采用过滤方法获得经预处理的结晶原料;所述原料为电子线路板氯化铜废液;(2)将步骤(1)所得溶液减压浓缩至过饱和,加入氯化铜晶种开始结晶;(3)向步骤(2)所得含有大量氯化铜晶粒的悬浮液中加入去离子水;(4)使步骤(3)所得结晶溶液冷却结晶,形成含有大晶粒的液固悬浮液;控制氯化铜溶液温度随时间的3次方变化,即T=90‐60×(t/300)3;T为氯化铜溶液温度,t为时间;(5)步骤(4)所得液固悬浮液采用离心过滤获得二水氯化铜固体;(6)对步骤(5)所得固体进行真空干燥,获得高纯二水氯化铜产品;以质量百分比计,高纯二水氯化铜产品中二水氯化铜含量在98%以上。
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