[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

摘要

本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在蚀刻对象膜上形成孔的等离子体蚀刻方法中，交替地重复在第1条件下将等离子体生成用高频电力施加单元导通而在处理容器内生成至少含有CxFy气体和质量比Ar气体的质量轻的稀有气体的处理气体的等离子体的工序和在第2条件下将等离子体生成用高频电力施加单元断开而使处理容器内的处理气体的等离子体消失的工序。另外，以使第2条件下的负的直流电压的绝对值大于第1条件下的所述负的直流电压的绝对值的方式自直流电源施加负的直流电压。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，在该等离子体蚀刻方法中，使用等离子体蚀刻装置在蚀刻对象膜上形成孔，该等离子体蚀刻装置包括：处理容器，其用于容纳被处理体，能够对该处理容器的内部进行真空排气；下部电极，其配置在所述处理容器内并作为所述被处理体的载置台发挥作用；上部电极，其以与所述下部电极相对的方式配置在所述处理容器内；处理气体供给单元，其用于向所述处理容器内供给至少含有CxFy气体和质量比Ar气体的质量轻的稀有气体的处理气体；等离子体生成用高频电力施加单元，其用于向所述上部电极和所述下部电极中的至少一者施加等离子体生成用的高频电力；以及第1直流电源，其用于向所述上部电极施加负的直流电压，其特征在于，在该等离子体蚀刻方法中，交替地重复在第1条件下将所述等离子体生成用高频电力施加单元导通而生成被供给到所述处理容器内的所述处理气体的等离子体的工序和在第2条件下将所述等离子体生成用高频电力施加单元断开而使所述处理容器内的处理气体的等离子体消失的工序，并以使所述第2条件下的所述负的直流电压的绝对值大于所述第1条件下的所述负的直流电压的绝对值的方式自所述第1直流电源施加电压，从而对所述蚀刻对象膜进行蚀刻而形成孔，其中，等离子体消失期间为30μsec～150μsec，通过使所述高频电力的施加导通和断开而生成的高频脉冲的占空比为10％～60％。