[发明专利]处理气体产生装置、处理气体产生方法、基板处理方法有效
申请号: | 201510092233.3 | 申请日: | 2015-03-02 |
公开(公告)号: | CN104882363B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 糸永将司;渡边圣之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体,自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整,第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整,以使气相部的温度高于上述液相部的温度。 | ||
搜索关键词: | 处理 气体 产生 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理气体产生装置,其用于使载气在原料液中鼓泡而产生处理气体,其特征在于,该处理气体产生装置包括:原料液罐,其用于容纳原料液;载气供给部,其用于向上述原料液罐内的原料液供给载气;取出部,其用于自上述原料液罐内的容纳有原料液的区域、即液相部的上方侧的气相部取出通过鼓泡而产生的处理气体;第1温度调整部,其用于进行上述液相部的温度调整;以及第2温度调整部,其用于进行上述气相部的温度调整,以使该气相部的温度高于上述液相部的温度,其中,上述处理气体产生装置具备用于向上述原料液罐内供给原料液的原料液供给部,上述原料液供给部具备原料液温度调整部,该原料液温度调整部用于调整原料液的温度,以使向上述原料液罐供给的原料液的温度接近上述液相部的温度,上述原料液供给部具备供给配管,该供给配管供向上述原料液罐供给的原料液流动,上述原料液温度调整部包括热交换部,该热交换部由以浸渍于上述液相部的原料液的状态配置的上述供给配管的末端部侧构成,用于对该供给配管内的原料液和上述液相部之间进行热交换而使向该原料液罐供给的原料液的温度接近上述液相部的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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