[发明专利]半导体多层结构及半导体元件在审
| 申请号： | 201510089912.5 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104878446A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慎九郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其具有包括(-201)、(101)、(310)或(3-10)面的主面，所述β-Ga2O3基单晶基板不含孪晶面或者还包括不含孪晶面的区域，所述区域在垂直于孪晶面和所述主面之间的交叉线的方向上具有不小于2英寸的最大宽度；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,x+y+z＝1)晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 多层 结构 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体多层结构，包括：β‑Ga2O3基单晶基板，其具有包括(‑201)、(101)、(310)或(3‑10)面的主面，所述β‑Ga2O3基单晶基板不含孪晶面或者还包括不含孪晶面的区域，所述区域在垂直于孪晶面和所述主面之间的交叉线的方向上具有不小于2英寸的最大宽度；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β‑Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,x+y+z＝1)晶体。
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