[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201510087911.7 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN104882359B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 吉原直彦;小林健司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜,并且,从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中,通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势,来使基板的上表面相对于水平面倾斜。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:处理液供给单元,向基板的上表面供给处理液,以形成该处理液的液膜;基板加热单元,与所述基板的下表面接触来对该基板进行支撑,对所述基板从下方进行加热,以对所述液膜进行加热;姿势变更单元,通过变更对所述基板进行支撑的所述基板加热单元的姿势,一边将所述基板和所述基板加热单元的相对姿势维持为恒定,一边使所述基板以及所述基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更,所述水平姿势是指,使所述基板的上表面处于水平来在所述基板上保持所述处理液的液膜的姿势,所述倾斜姿势是指,使所述基板的上表面相对于水平面倾斜,来将由所述基板加热单元加热过的所述处理液的液膜从所述基板上排除的姿势;滑落防止构件,在所述基板呈所述倾斜姿势的状态下,与倾斜的基板的周缘部的下部抵接,防止所述基板从所述基板加热单元上滑落。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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