[发明专利]贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置有效
| 申请号： | 201510085057.0 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681503B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;铃木美雪 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置，在该贯通电极基板中，提高了将基板的表面和背面导通的导通部中的电特性。本发明的贯通电极基板(100)具备具有贯通表面和背面的贯通孔(104)的基板(102)；和填充在贯通孔(104)内并含有金属材料的导通部(106)，导通部(106)至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。另外，导通部(106)包含晶粒直径为29μm以上的金属材料。此外，导通部的一端含有面积加权后的平均晶粒直径比13μm小的金属材料，导通部的另一端至少含有面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 贯通 电极 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种贯通电极基板，其特征在于，包括：具有贯通表面和背面的贯通孔的基板；和被填充在所述贯通孔内的包含金属材料的导通部，所述导通部从所述导通部的一端侧向另一端侧去具有作为直流电流区域的第一区域、作为直流‑脉冲切换区域的第二区域和作为脉冲电流后期区域的第三区域，所述第三区域至少包含晶粒直径为29μm以上的金属材料，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域的金属材料的面积加权后的平均晶粒直径满足以下关系：所述第一区域<所述第二区域<所述第三区域。
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