[发明专利]连续铂层的无电沉积有效
| 申请号： | 201510084904.1 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104851837B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 尤金尼厄斯·诺尔库斯;阿尔冬娜·亚格米妮;阿宾娜·齐列内;伊娜·斯坦科维;洛蕾塔·塔玛萨凯特-塔玛修纳特;安鲁达哈·乔伊;耶兹迪·多尔迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 樊英如,李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及连续铂层的无电沉积，具体提供了一种用于提供含铂层的无电镀敷的方法。提供Ti3+稳定溶液。提供Pt4+稳定溶液。将所述Ti3+稳定溶液的流与所述Pt4+稳定溶液的流以及水混合以提供所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的稀释的混合物。将衬底暴露于所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的所述稀释的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于铂的无电沉积的溶液，其包括：Ti3+离子；Pt4+离子；和NH4+离子以及柠檬酸盐离子或葡糖酸盐离子或酒石酸盐离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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