[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201510017552.8 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779183B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 小林健司 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 董雅会,向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够一边抑制损伤一边充分清洗表层上形成有多孔膜的基板的技术。对具有多孔结构的多孔膜(90)在表层上的基板(9)进行处理的基板处理方法，包括第一工序以及第二工序。在第一工序中，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成第一处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第一处理液的液滴。另外，在第二工序中，在进行第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成第二处理液的液滴，朝向多孔膜(90)喷射第二处理液的液滴，第二处理液为挥发性高于第一处理液的有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，对在表层形成有多孔膜的基板进行处理，该多孔膜具有多孔结构，其特征在于，包括：第一工序，使含有水的第一处理液和气体进行混合来生成所述第一处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第一处理液的液滴，第二工序，在进行所述第一工序之后，使第二处理液和气体进行混合来生成所述第二处理液的液滴，朝向所述多孔膜喷射所述第二处理液的液滴，将进入所述多孔膜的表面所露出的孔中的所述第一处理液置换为所述第二处理液，所述第二处理液为挥发性高于所述第一处理液的挥发性的有机溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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