[发明专利]半导体装置、开关电源用控制IC以及开关电源装置有效

专利信息
申请号: 201510012979.9 申请日: 2015-01-09
公开(公告)号: CN104835820B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 齐藤俊 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/085;H01L21/77;H02M3/155
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种不使用电阻分压电路能够实现输入电压检测功能的半导体装置、开关电源用控制IC以及开关电源装置。在启动元件的漏区101内部设置有由p型区域110、集电区111以及发射区112构成的npn型元件83。在第一层间绝缘膜107上设置有npn型元件83的集电极布线121、兼作npn型元件83的发射极布线和启动元件的漏极布线的发射极‑漏极布线122、启动元件的源极布线123、以及启动元件的栅极布线124。在集电极布线121连接有兼作启动元件的输入端子和npn型元件83的输入端子的第一金属布线131。npn型元件83作为用于检测施加在第一金属布线131的输入电压的降低的输入电压检测机构发挥功能。
搜索关键词: 半导体 装置 开关电源 控制 ic 以及
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:场效应型晶体管,具有设置于第一导电型的半导体基板的表面层的第二导电型的漂移区域和与所述漂移区域接触地设置于所述半导体基板的表面层的第二导电型的漏区;第一导电型半导体区域,选择性地设置于所述漏区的表面层;第一个第二导电型半导体区域,选择性地设置于所述第一导电型半导体区域的表面层;第二个第二导电型半导体区域,与所述第一个第二导电型半导体区域分离地选择性地设置于所述第一导电型半导体区域的表面层;第一电极布线,与所述第一个第二导电型半导体区域连接,从外部接收输入电压;第二电极布线,与所述漏区以及所述第二个第二导电型半导体区域连接。
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