[发明专利]半导体装置、开关电源用控制IC以及开关电源装置有效
申请号: | 201510012979.9 | 申请日: | 2015-01-09 |
公开(公告)号: | CN104835820B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 齐藤俊 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/085;H01L21/77;H02M3/155 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;王颖 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种不使用电阻分压电路能够实现输入电压检测功能的半导体装置、开关电源用控制IC以及开关电源装置。在启动元件的漏区101内部设置有由p型区域110、集电区111以及发射区112构成的npn型元件83。在第一层间绝缘膜107上设置有npn型元件83的集电极布线121、兼作npn型元件83的发射极布线和启动元件的漏极布线的发射极‑漏极布线122、启动元件的源极布线123、以及启动元件的栅极布线124。在集电极布线121连接有兼作启动元件的输入端子和npn型元件83的输入端子的第一金属布线131。npn型元件83作为用于检测施加在第一金属布线131的输入电压的降低的输入电压检测机构发挥功能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 开关电源 控制 ic 以及 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:场效应型晶体管,具有设置于第一导电型的半导体基板的表面层的第二导电型的漂移区域和与所述漂移区域接触地设置于所述半导体基板的表面层的第二导电型的漏区;第一导电型半导体区域,选择性地设置于所述漏区的表面层;第一个第二导电型半导体区域,选择性地设置于所述第一导电型半导体区域的表面层;第二个第二导电型半导体区域,与所述第一个第二导电型半导体区域分离地选择性地设置于所述第一导电型半导体区域的表面层;第一电极布线,与所述第一个第二导电型半导体区域连接,从外部接收输入电压;第二电极布线,与所述漏区以及所述第二个第二导电型半导体区域连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的