[发明专利]双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480069830.8 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105874582B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 饭野智绘;石坂刚;盛田浩介;志贺豪士 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/32;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 葛凡
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种双面带有隔片的密封用片,其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B,在将密封用片与隔片A之间的剥离力设为F1,将密封用片与隔片B之间的剥离力设为F2,将除去密封用片以外的厚度设为t,将密封用片的面积设为A时,它们满足特定的关系。
搜索关键词: 双面 带有 密封 以及 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种双面带有隔片的密封用片,其特征在于,具备:密封用片、层叠于所述密封用片的一个面的隔片A、和层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B,所述密封用片的厚度为50μm~2000μm,在将所述密封用片与所述隔片A之间的剥离力设为F1,将所述密封用片与所述隔片B之间的剥离力设为F2,将所述密封用片的厚度设为t,将所述密封用片的面积设为A时,满足下述(1)的关系:(1)0<F2×A×t<10.0其中,满足F1<F2,F2的单位为N/20mm,A的单位为m2,t的单位为mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480069830.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top