[发明专利]双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201480069830.8 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105874582B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 饭野智绘;石坂刚;盛田浩介;志贺豪士 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/32;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种双面带有隔片的密封用片,其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B,在将密封用片与隔片A之间的剥离力设为F1,将密封用片与隔片B之间的剥离力设为F2,将除去密封用片以外的厚度设为t,将密封用片的面积设为A时,它们满足特定的关系。 | ||
搜索关键词: | 双面 带有 密封 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面带有隔片的密封用片,其特征在于,具备:密封用片、层叠于所述密封用片的一个面的隔片A、和层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B,所述密封用片的厚度为50μm~2000μm,在将所述密封用片与所述隔片A之间的剥离力设为F1,将所述密封用片与所述隔片B之间的剥离力设为F2,将所述密封用片的厚度设为t,将所述密封用片的面积设为A时,满足下述(1)的关系:(1)0<F2×A×t<10.0其中,满足F1<F2,F2的单位为N/20mm,A的单位为m2,t的单位为mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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