[发明专利]利用高密度低能量等离子体进行的对半导体表面的界面处理有效
| 申请号： | 201480054614.6 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105593972B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | A·奈纳尼;B·N·佐普;L·多弗;S·劳弗;A·布兰德;M·亚伯拉罕;S·德稀穆克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源，所述半导体表面包含Ge或III‑V族化合物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 高密度 能量 等离子体 进行 对半 导体 表面 界面 处理 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体工件的方法，所述半导体工件具有表面，所述方法包含以下步骤：将电子束引导至腔室的处理区域中，所述腔室包含所述半导体工件，所述电子束在传播方向上传播通过所述处理区域，所述传播方向总体上平行于所述表面的平面；将工艺气体引入所述腔室中，所述工艺气体包含下列各项中的至少一者：(a)清洁物质前体、(b)钝化物质前体、(c)氧化物还原物质前体；在所述表面中形成下列各项中的至少一者：(a)包含III‑V族化合物半导体材料的N‑MOS区域、(b)包含Ge或含Ge材料的P‑MOS区域，其中所述在所述表面中至少形成N‑MOS区域的步骤包含以下步骤：执行第一操作，所述第一操作包含：在所述表面的所述N‑MOS区域中外延生长含Ge的材料；执行第二操作，所述第二操作包含：在所述表面的所述N‑MOS区域中外延生长含III‑V族化合物的材料；依次地重复所述第一操作与所述第二操作；在每一次外延生长Ge材料的第一操作之后且在每一次外延生长III‑V族化合物材料的第二操作之前，执行包含以下步骤的软性等离子体表面处理工艺：(a)将电子束引导至腔室的处理区域中，所述腔室包含所述半导体工件，所述电子束在传播方向上传播通过所述处理区域，所述传播方向总体上平行于所述表面的平面；以及(b)将工艺气体引入所述腔室中，所述工艺气体包含表面处理前体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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