[发明专利]形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构有效
| 申请号： | 201480049629.3 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105556658B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陶谦;马修·N·洛克莱;贝丝·R·曲克;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种形成铁电存储器单元的方法。所述方法包括形成展现所要主要结晶取向的电极材料。在所述电极材料之上形成铪基材料且所述铪基材料经结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。本发明也描述额外方法，以及包含铁电材料的半导体装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储器 单元 方法 相关 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成铁电存储器单元的方法，其包括：形成包括呈主要(111)结晶取向的氮化钛的电极材料；在所述电极材料之上形成铪基材料；及使所述铪基材料结晶以引发所述铪基材料的呈主要(200)结晶取向的形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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