[发明专利]承载器有效
申请号: | 201480047456.1 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN105493260B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 小林文弥;熊谷祥;牛田和宏;大西正;石垣知徳 | 申请(专利权)人: | 株式会社普利司通 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/44;C23C16/458;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能够在抑制承载器的升温速度和热利用效率降低的同时改善热均匀性的承载器。该承载器(100)包括:板状的第一构件(10),其具有用于载置晶圆的晶圆载置面;以及第二构件(20),其用于支撑第一构件(10)并在垂直于晶圆载置面的方向上与第一构件(10)层叠。第一构件(10)的热传导率高于第二构件(20)的热传导率。 | ||
搜索关键词: | 承载器 晶圆 第二构件 热传导率 载置 热利用效率 热均匀性 载置面 板状 垂直 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种承载器,其包括用于载置晶圆的晶圆收纳部,该承载器包括:上侧构件,所述上侧构件在其上表面侧包括所述晶圆收纳部、在其下表面侧包括嵌合凹部并且由高纯度的碳化硅制成,所述嵌合凹部从比所述上侧构件的外周部靠内周侧的位置向上凹陷;以及下侧构件,所述下侧构件在其上表面侧包括与所述嵌合凹部的底表面进行面接触的嵌合凸部,从而支撑所述上侧构件,其中当所述上侧构件随着所述嵌合凸部插入所述嵌合凹部而配置于所述下侧构件时,在俯视时,所述下侧构件整体被所述上侧构件覆盖,并且所述外周部不与所述下侧构件接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造