[实用新型]一种适应性耦合等离子刻蚀机有效
申请号: | 201420170679.4 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN203787383U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 张海洋;张城龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种适应性耦合等离子刻蚀机,所述刻蚀机至少包括:具有反应空间并在反应空间中产生等离子体的反应腔、设置于所述反应腔中且用于支撑所述晶圆的下电极、设置于所述反应腔上部中心区域的衬套、以及从所述衬套螺旋地延伸并环绕所述衬套的线圈组件;所述衬套与一射频电源相连接;所述下电极与一直流偏压源和射频偏压源相连接;所述线圈组件、射频电源、直流偏压源以及射频偏压源均接地。本实用新型通过在下电极上除了连接射频偏压源,还连接一直流偏压源,利用直流偏压源预先对晶圆上的光刻剂层进行离子注入处理,使光刻剂层两侧光滑平整,从而使后续刻蚀形成的栅极结构两侧粗糙度降低,提高产品的产率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适应性 耦合 等离子 刻蚀 | ||
【主权项】:
一种适应性耦合等离子刻蚀机,用于刻蚀晶圆,其特征在于,所述适应性耦合等离子刻蚀机至少包括: 具有反应空间并在反应空间中产生等离子体的反应腔、设置于所述反应腔中且用于支撑所述晶圆的下电极、设置于所述反应腔上部中心区域的衬套、以及从所述衬套螺旋地延伸并环绕所述衬套的线圈组件; 所述衬套与一射频电源相连接;所述下电极与一直流偏压源和射频偏压源相连接;所述线圈组件、射频电源、直流偏压源以及射频偏压源均接地。
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