[发明专利]一种阵列基板的掺杂方法和掺杂设备在审

专利信息
申请号: 201410770410.4 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN104485278A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 薛景峰;陈归;郝思坤;张鑫 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/22 分类号: H01L21/22
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及掺杂设备,其方法包括提供定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区的基板;通过光刻工艺在基板上形成光阻层,该光阻层对应待重掺杂区形成第一光阻部,对应待轻掺杂区形成第二光阻部,对应待掺杂沟道区形成第三光阻部,第一光阻部比第二光阻部薄,第二光阻部比第三光阻部薄;经光阻层对待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂,以一次形成分别与待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。通过上述方式,本发明能够实现对基板的沟道区、重掺杂区以及轻掺杂区的一次掺杂,简化工艺,降低成本。
搜索关键词: 一种 阵列 掺杂 方法 设备
【主权项】:
一种阵列基板的掺杂方法,其特征在于,所述掺杂方法包括:提供基板,所述基板上定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区;通过光刻工艺在所述基板上形成光阻层,其中,所述光阻层对应所述待重掺杂区形成第一光阻部,对应所述待轻掺杂区形成第二光阻部,对应所述待掺杂沟道区形成第三光阻部,所述第一光阻部比所述第二光阻部薄,所述第二光阻部比所述第三光阻部薄;经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂,以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。
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