[发明专利]具有通孔的堆叠结构上的缓冲层

摘要

本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括：第一衬底，包括第一半导体衬底和位于所述第一半导体衬底上的第一互连结构；第二衬底，包括第二半导体衬底和位于所述第二半导体衬底的第一侧上的第二互连结构，所述第一衬底在接合界面处接合至所述第二衬底，所述第一互连结构和所述第二互连结构设置在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底之间；通孔，至少延伸穿过所述第二半导体衬底进入所述第二互连结构；第一应力缓冲层，位于所述第二半导体衬底的第二侧上，所述第二半导体衬底的所述第二侧与所述第二半导体衬底的所述第一侧相对；钝化后互连PPI结构，位于所述第一应力缓冲层上且电连接至所述通孔，其中，所述PPI结构具有穿过所述PPI结构的开口；以及第二应力缓冲层，位于所述PPI结构和所述第一应力缓冲层上，其中，所述第二应力缓冲层至少部分地设置在所述开口中。