[发明专利]自对准接触制造方法在审
| 申请号： | 201410585062.3 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105633004A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中形成栅极开口，栅极开口侧壁上具有栅极侧墙；在栅极开口中形成并未完全填充栅极开口的栅极绝缘层；在栅极开口中、栅极绝缘层上形成掩模图形；以掩模图形为掩模，刻蚀层间介质层，直至暴露衬底顶部和栅极侧墙侧壁，形成自对准的源漏接触孔。依照本发明的自对准接触制造方法，在栅极开口中高K绝缘层上填充掩模图形保护了栅极开口顶部和侧壁，能有效适当放宽关键尺寸和重叠大小的限制，提高了对工艺波动的稳定性和器件可靠性，降低了制造成本和工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中形成栅极开口，栅极开口侧壁上具有栅极侧墙；在栅极开口中形成并未完全填充栅极开口的栅极绝缘层；在栅极开口中、栅极绝缘层上形成掩模图形；以掩模图形为掩模，刻蚀层间介质层，直至暴露衬底顶部和栅极侧墙侧壁，形成自对准的源漏接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410585062.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铟柱的制备方法、红外焦平面阵列探测器
- 下一篇：用于拾取半导体芯片的夹头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
