[发明专利]在单元之下具有页缓冲器单元的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201410584878.4 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104979002B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：单元阵列；分布式页缓冲器，其包括设置在单元阵列之下的多个页缓冲器单元，多个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，每个页缓冲器控制电路单元布置在对应的页缓冲器单元的一侧，并且配置成控制对应的页缓冲器单元的操作，多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元具有预定尺寸。通过本发明的方案，在提高非易失性存储器件的集成度和容量的同时解决了在非易失性存储器件中没有充足的面积来布置外围电路这一技术问题。本发明可以在半导体器件中得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 之下 具有 缓冲器 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：单元阵列；分布式页缓冲器，其包括设置在所述单元阵列之下的多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，每个页缓冲器控制电路单元布置在相对应的页缓冲器单元的一侧，并且配置成控制所述对应的页缓冲器单元的操作，所述多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元具有预定尺寸。
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