[发明专利]一种三维碳纳米线晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410553837.9 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104393036A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 任铮;郭奥;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种三维碳纳米线晶体管结构，包括支撑衬底，位于其上方的含聚酰亚胺薄膜和碳纳米线晶体管的多层器件层，层与层之间相互隔离，上下层叠排列，各层晶体管并联连接。本发明还提供了该三维碳纳米线晶体管结构的制备方法，将碳纳米线晶体管建立在淀积于硅衬底聚酰亚胺薄膜上，形成器件层，淀积介质隔离，通过通孔建立上下层晶体管栅极、源/漏极互联通路，再在该器件层上重复淀积聚酰亚胺薄膜，制备上一层器件层，如此层叠反复，实现三维立体互连的晶体管结构。本发明可以在相同硅衬底面积制备多个并联的同类型碳纳米线晶体管，提高了晶体管密度，增加晶体管宽长比，改善硅片面积利用率，而且制备工艺与传统的CMOS工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 纳米 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维碳纳米线晶体管结构，包括支撑衬底，依次位于其上方的含聚酰亚胺薄膜和碳纳米线晶体管的器件层和保护层，其特征在于所述器件层的层数大于2，层与层之间相互隔离，上下层叠排列，各层晶体管并联连接。
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