[发明专利]增加BBUL封装中的I/O密度和降低层数的方法在审

专利信息
申请号: 201410534287.6 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN104392937A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: D·A·劳瑞恩;S·阿格拉哈拉姆 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请公开了增加BBUL封装中的I/O密度和降低层数的方法。一种器件,包含管芯,管芯包含器件侧上的介电材料、围绕管芯区域并嵌入管芯厚度尺寸的绝缘层;以及载体,载体包含设置在管芯器件侧上的多个导电材料层,第一个导电材料层形成在绝缘层上并图案化成迹线,所述迹线的至少部分连接至管芯上的相应接触点。一种方法,包含在牺牲衬底上设置管芯,管芯的器件侧与牺牲衬底相反;在牺牲衬底周围设置模具;将绝缘材料引入模具槽部;去除模具;在邻近管芯器件侧的绝缘材料上形成载体;以及从牺牲衬底分离管芯和载体。
搜索关键词: 增加 bbul 封装 中的 密度 降低 层数 方法
【主权项】:
一种装置,包括:具有厚度尺寸的管芯,包括管芯器件侧上的接触点上的介电材料,所述管芯还包括由长度尺寸和宽度尺寸定义的管芯区域;围绕管芯区域并嵌入管芯厚度尺寸的绝缘层;以及内建载体,具有比管芯区域大的载体区域,内建载体包括设置在管芯器件侧上的多个导电材料层,第一个导电材料层形成在绝缘层上并被图案化成迹线,所述迹线的至少部分连接至管芯上的相应接触点。
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