[发明专利]晶圆键合的方法以及晶圆键合结构有效

专利信息
申请号: 201410504766.3 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN105513983B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 王伟;包德君;陈政;张海芳;戚德奎;李新;张蓓蓓 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L23/485
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构,所述晶圆键合的方法包括:在晶圆键合工艺之前,在晶圆上形成层间介质层,所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层;在所述层间介质层中形成互连结构,所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面,为互连结构的贴合端;在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于,所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖,所述侧墙将贴合端侧壁覆盖,对多个晶圆进行键合工艺之后,相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断,不容易发生短路。此外,在侧墙的保护下,贴合端没有暴露于外界环境中,不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物,同样减小了短路的风险。
搜索关键词: 晶圆键合 方法 以及 结构
【主权项】:
1.一种晶圆键合的方法,其特征在于,包括:提供多个晶圆;在晶圆上形成层间介质层,所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层;在所述层间介质层中形成互连结构,所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面,为互连结构的贴合端,形成互连结构的步骤包括:在所述绝缘层上形成第二介质层;形成位于层间介质层以及第二介质层中的互连结构,所述互连结构表面与第二介质层表面齐平;对所述第二介质层进行回刻,去掉第二介质层至露出绝缘层,使部分互连结构凸出层间介质层表面,所述凸出层间介质层表面的部分互连结构作为贴合端;在贴合端的侧壁上形成侧墙;使多个晶圆的互连结构的贴合端相互对准贴合,对多个晶圆进行晶圆键合工艺。
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