[发明专利]晶圆键合的方法以及晶圆键合结构有效
申请号: | 201410504766.3 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105513983B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 王伟;包德君;陈政;张海芳;戚德奎;李新;张蓓蓓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/485 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构,所述晶圆键合的方法包括:在晶圆键合工艺之前,在晶圆上形成层间介质层,所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层;在所述层间介质层中形成互连结构,所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面,为互连结构的贴合端;在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于,所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖,所述侧墙将贴合端侧壁覆盖,对多个晶圆进行键合工艺之后,相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断,不容易发生短路。此外,在侧墙的保护下,贴合端没有暴露于外界环境中,不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物,同样减小了短路的风险。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 方法 以及 结构 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆键合的方法,其特征在于,包括:提供多个晶圆;在晶圆上形成层间介质层,所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层;在所述层间介质层中形成互连结构,所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面,为互连结构的贴合端,形成互连结构的步骤包括:在所述绝缘层上形成第二介质层;形成位于层间介质层以及第二介质层中的互连结构,所述互连结构表面与第二介质层表面齐平;对所述第二介质层进行回刻,去掉第二介质层至露出绝缘层,使部分互连结构凸出层间介质层表面,所述凸出层间介质层表面的部分互连结构作为贴合端;在贴合端的侧壁上形成侧墙;使多个晶圆的互连结构的贴合端相互对准贴合,对多个晶圆进行晶圆键合工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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