[发明专利]3DNAND闪存结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410491328.8 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104201176B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 高晶;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种3D NAND闪存结构及其制作方法，在相邻的阵列串之间的衬底内形成隔离层和CSL，通过引入深掩埋隔离层的方法提供阵列串间的有效隔绝，从结构根本上阻断热电子漂移的通道，可以有效的降低存储阵列串的互扰现象，从而可以很好的提高产品的编程和擦除循环的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种3D NAND闪存结构，其特征在于，包括：衬底；多个阵列串，所述阵列串形成在所述衬底上，并由第一介质层隔离开；隔离层及CSL，所述CSL形成在所述隔离层的上方，所述隔离层和CSL均形成于所述衬底内，并且位于所述第一介质层的下方，所述隔离层形成于一位于相邻阵列串之间的隔离沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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