[发明专利]半导体部件以及触发雪崩击穿的方法

摘要

本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。

主权项

一种半导体部件，包括：辅助半导体器件，配置以发射辐射；以及半导体器件，其中：在所述辅助半导体器件和所述半导体器件之间的电耦合和光耦合被配置以，通过所述辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过所述半导体器件中的对所述辐射的吸收来触发所述半导体器件中的雪崩击穿；以及所述半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，所述第一层埋在半导体本体的表面下方，所述掺杂半导体区设置在所述表面与所述第一层之间；以及其中所述雪崩击穿在所述PN结处被触发。