[发明专利]一种发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410449026.4 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104201259A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 徐正毅;郭德博 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 102206 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种发光器件的制造方法以及由这种方法制备的发光器件，包括如下步骤：选择衬底，在从所述衬底切割后至形成量子阱有源层之前的任何阶段，在对应发光器件的非发光区域的位置人为形成位错源；然后再外延构成发光器件的其他半导体材料外延层；所述位错源在非发光区域造成位错集中区，释放其他半导体材料外延层中的应力，使得发光区域的位错密度降低。通过在发光器件的非发光区域人为的引入位错，释放发光器件外延层中应力，从而降低发光区域中的位错密度，提高发光器件芯片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件的制造方法，其包括以下步骤：选择衬底；在衬底上对应发光器件的非发光区域的位置人为形成位错源；在具有位错源的衬底上方外延N型半导体材料、有源区和P型半导体材料，所述半导体材料与衬底之间存在晶格失配；所述位错源在非发光区域造成位错集中区，释放外延的N型半导体材料、有源区和P型半导体材料中的应力，使得发光区域的位错密度降低。
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