[发明专利]多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层有效
| 申请号： | 201410443187.2 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448655B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层。其中，该多孔低介电薄膜包括沿远离半导体基材的方向上依次设置的至少两层多孔低介电材料层，且在沿远离半导体基材的方向上各层多孔低介电材料层中的平均孔径依次增加。本申请通过提供的多孔低介电薄膜中气孔尺寸得以减小，进而提高了多孔低介电薄膜的力学强度。同时，多孔低介电薄膜中由于其力学强度较低引起的分层现象得以减少，从而提高了多孔低介电薄膜的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 低介电 薄膜 制作方法 包括 介质 | ||
【主权项】：
1.一种多孔低介电薄膜，其特征在于，所述多孔低介电薄膜包括沿远离半导体基材的方向上依次设置的至少第一多孔低介电材料层、第二多孔低介电材料层和第三多孔低介电材料层，且在沿远离所述半导体基材的方向上各层所述多孔低介电材料层中的平均孔径依次增加；其中，所述第一多孔低介电材料层中的孔径分布范围为![]()
所述第二多孔低介电材料层中孔径分布范围为![]()
和![]()
所述第三多孔低介电材料层中的孔径分布范围为![]()
所述第一多孔低介电材料层、所述第二多孔低介电材料层和所述第三多孔低介电材料层的厚度之比为1：0.5～2：0.5～2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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